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BSP92PH6327XTSA1备选型号: BSP129H6327XTSA1
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- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 制造商包装标识符
- 终端
- 通道数量
- 电压
- 电流
- 漏极-源极导通最大电阻
- 双电源电压
- 最大结点温度（Tj）
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 辐射硬化
Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R10 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA4SILICON260mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SIPMOS®2002e3yes活跃1 (Unlimited)4EAR99逻辑电平兼容DUAL鸥翼未说明未说明4Single增强型MOSFET1.8WDRAIN5 nsP-Channel12 Ω @ 260mA, 10V2V @ 130μA无卤素104pF @ 25V5.4nC @ 10V6ns250V±20V33 ns260mA-1.5V20V-250V0.26A-250V1.5mm6.5mm3.5mm无SVHCROHS3 Compliant无铅------------ MOSFET N-Ch 240V 350mA SOT-223-310 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA4SILICON350mA Ta-55°C~150°C TJCut Tape (CT)SIPMOS®2012e3yes活跃1 (Unlimited)4EAR99-DUAL鸥翼--4Single-1.7WDRAIN4.4 nsN-Channel6 Ω @ 350mA, 10V1V @ 108μA无卤素108pF @ 25V5.7nC @ 5V4.1ns-±20V35 ns120mA-2.1V20V240V-240V1.8mm6.5mm3.5mm无SVHCROHS3 Compliant无铅PG-SOT223-4SMD/SMT1240V35A20Ohm240V150°C耗尽模式-1.4 V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BSP129H6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-Ch 240V 350mA SOT-223-3 | 对比 |
| BSP88H6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A T/R | 对比 |
 | ZVN2120GTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 200V 0.32A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
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