BSP92PL6327HTSA1备选型号: BSP171PL6327HTSA1
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 输入电容
- 最大rds
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA4PG-SOT223-4260mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SIPMOS®2002Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C1.8W5 nsP-Channel12Ohm @ 260mA, 10V2V @ 130μA104pF @ 25V5.4nC @ 10V6ns250V±20V33 ns260mA20V104pF12 Ω无符合RoHS标准-----------------
- Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA4-1.9A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SIPMOS®2005Obsolete1 (Unlimited)--1.8W6 nsP-Channel300m Ω @ 1.9A, 10V2V @ 460μA460pF @ 25V20nC @ 10V25ns60V±20V87 ns1.9A20V--无符合RoHS标准SILICONe3yes4EAR99Matte Tin (Sn)LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATEDDUAL鸥翼4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING0.3Ohm60V55 pF
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLM220ATF | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 200V 1.13A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 | |
![]() | BSP171PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
![]() | BSP88L6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |



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