BSR202NL6327HTSA1备选型号: FDY3000NZ
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 质量
- 终端
- 电阻
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 场效应管技术
- 最大结点温度(Tj)
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- Trans MOSFET N-CH 20V 3.8A 3-Pin SC-59 T/R10 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON3.8A Ta1.2V @ 30μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2012e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE8541.21.00.95DUAL鸥翼未说明未说明不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-Channel21m Ω @ 3.8A, 4.5V1147pF @ 10V8.8nC @ 4.5V16.7ns±12V3.8A12V20V0.021Ohm60 pFROHS3 Compliant---------------------------
- MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC8910 Weeks-表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-6666SILICON2--55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2007e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99ESD PROTECTION--FLAT----增强型MOSFET2 N-Channel (Dual)700m Ω @ 600mA, 4.5V60pF @ 10V1.1nC @ 4.5V8ns-600mA12V---ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)32mgSMD/SMT700MOhmTin (Sn)625mW2Dual625mW6 ns446mWSWITCHING1.3V @ 250μA8 ns1V20V20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR150°C逻辑电平门1 V700μm1.6mm1.2mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDY301NZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-89, SOT-490 | MOSFET N-CH 20V 200MA SC-89 | 对比 | |
![]() | FDJ1028N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SC75-6 FLMP | MOSFET 2N-CH 20V 3.2A SC-75 | 对比 |





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