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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.769201
10
¥1.669058
100
¥1.574583
500
¥1.485455
1000
¥1.401373
Infineon Technologies BSR202NL6327HTSA1
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- 对比
BSR202NL6327HTSA1
1211-BSR202NL6327HTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Trans MOSFET N-CH 20V 3.8A 3-Pin SC-59 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSR202NL6327HTSA1详情
Infineon Technologies BSR202NL6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500mW Ta
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
1.2V @ 30μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
21m Ω @ 3.8A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1147pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8.8nC @ 4.5V
上升时间
16.7ns
Vgs(最大值)
±12V
连续放电电流(ID)
3.8A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大双电源电压
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.021Ohm
反馈上限-最大值 (Crss)
60 pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSR202NL6327HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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