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首页 全部分类 BSR802NL6327HTSA1 vs FDG332PZ

BSR802NL6327HTSA1备选型号: FDG332PZ

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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BSR802NL6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 3-Pin SC-59 T/R
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    3.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    23m Ω @ 3.7A, 2.5V
    750mV @ 30μA
    1447pF @ 10V
    4.7nC @ 2.5V
    18ns
    ±8V
    3.7A
    8V
    20V
    2.9A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDG332PZ
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 6-Pin SC-70 T/R
    10 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SILICON
    2.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    P-Channel
    95m Ω @ 2.6A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    560pF @ 10V
    10.8nC @ 4.5V
    4.8ns
    ±8V
    2.6A
    8V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    28mg
    95MOhm
    Tin (Sn)
    Single
    750mW
    5.2 ns
    SWITCHING
    4.8 ns
    -700mV
    20V
    1mm
    2mm
    1.25mm
    无SVHC
    无
    无铅
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