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BSS119L6433HTMA1备选型号: IRLML0100TRPBF
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- 晶体管元件材料
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 恢复时间
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON170mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SIPMOS®2002Obsolete1 (Unlimited)3逻辑电平兼容DUAL鸥翼SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-Channel6 Ω @ 170mA, 10V2.3V @ 50μA78pF @ 25V2.5nC @ 10V100V±20V170mA0.17A6Ohm100V4.1 pF符合RoHS标准---------------------------
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23-3表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON1.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®1997活跃1 (Unlimited)3-DUAL鸥翼-增强型MOSFETN-Channel220m Ω @ 1.6A, 10V2.5V @ 25μA290pF @ 25V2.5nC @ 4.5V-±16V1.6A----ROHS3 Compliant12 Weekse3EAR99220MOhmMatte Tin (Sn)26030不合格1Single1.3W2.2 nsSWITCHING2.1ns3.6 ns2.5V16V100V7A30 ns150°C2.5 V1.12mm3.0226mm1.397mm无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLML0100TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23-3 | 对比 |
 | DMP10H4D2S-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23 | 对比 |
 | 1HP04CH-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 100V 0.17A SOT-23 | 对比 |
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