BSS119NH6433XTMA1备选型号: SN7002NH6327XTSA2
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 宽度
- 高度
- 长度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R10 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON190mA Ta2.3V @ 13μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2012不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATEDDUAL鸥翼未说明未说明AEC-Q101SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-Channel6 Ω @ 190mA, 10V20.9pF @ 25V0.6nC @ 10V3.3ns100V±20V190mA20V0.19A6Ohm100VROHS3 Compliant--------------------
- Single N-Channel 60 V 5 Ohm 1 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-2310 Weeks-表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON11.8V @ 26μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®2003活跃1 (Unlimited)3EAR99逻辑电平兼容DUAL鸥翼----增强型MOSFETN-Channel5 Ω @ 500mA, 10V45pF @ 25V1.5nC @ 10V3.2ns-±20V200mA20V0.2A5Ohm-ROHS3 Compliante3yesTin (Sn)1Single360mW2.4 ns无卤素3.6 ns1.4V60V60V150°C4.2 pF1.3mm1.1mm2.9mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSS138-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 | 对比 |
![]() | BSS138 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23 | 对比 |
![]() | SN7002NH6327XTSA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Single N-Channel 60 V 5 Ohm 1 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-23 | 对比 |





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