BSS138DWQ-13备选型号: BSS84DW-7-F
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 场效应管特性
- 最大rds
- RoHS状态
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- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
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- 终端
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- 电阻
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- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 场效应管技术
- 栅源电压
- 最小击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET 2NCH 50V 200MA SOT36315 Weeks表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363200mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012002活跃1 (Unlimited)150°C-55°C200mW200mW2 N-Channel (Dual)3.5Ohm @ 220mA, 10V1.5V @ 250μA50pF @ 10V50V200mA50pFStandard3.5 ΩROHS3 Compliant-------------------------------------
- MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-615 Weeks表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363-2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2007活跃1 (Unlimited)--300mW-2 P-Channel (Dual)10 Ω @ 100mA, 5V2V @ 1mA45pF @ 25V50V130mA-逻辑电平门-ROHS3 CompliantTin66.010099mgSILICONe3yes6SMD/SMTEAR9910Ohm-50V鸥翼260-130mA40BSS84DW62Dual增强型MOSFET300mW10 nsSWITCHING-1.6V20V0.13A-50V-50VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR-1.6 V50V1mm2.2mm1.35mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSS138DW-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-363, Surface Mount | 对比 |
![]() | BSS8402DWQ-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET N/P-CH 60V/50V | 对比 |



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