Diodes Incorporated BSS84DW-7-F

工厂交货时间

15 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

质量

6.010099mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

18 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

10Ohm

电压 - 额定直流

-50V

最大功率耗散

300mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-130mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BSS84DW

引脚数量

6

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300mW

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10 Ω @ 100mA, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

45pF @ 25V

漏源电压 (Vdss)

50V

连续放电电流(ID)

130mA

阈值电压

-1.6V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.13A

漏源击穿电压

-50V

双电源电压

-50V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

-1.6 V

最小击穿电压

50V

高度

1mm

长度

2.2mm

宽度

1.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅