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首页 全部分类 BSS138LT3G vs BSS84LT1G

BSS138LT3G备选型号: BSS84LT1G

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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • ON Semiconductor
    BSS138LT3G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    14 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    SILICON
    200mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    3.5Ohm
    Tin (Sn)
    50V
    DUAL
    鸥翼
    260
    200mA
    40
    3
    Single
    增强型MOSFET
    225mW
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5 Ω @ 200mA, 5V
    1.5V @ 1mA
    无卤素
    50pF @ 25V
    ±20V
    200mA
    500mV
    20V
    0.2A
    50V
    500 mV
    5 pF
    940μm
    2.9mm
    1.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    BSS84LT1G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - BSS84LT1G - Power MOSFET, P Channel, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Surface Mount
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    23 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    SILICON
    130mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    10Ohm
    -
    -50V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -130mA
    10
    3
    Single
    增强型MOSFET
    225mW
    3.6 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    10 Ω @ 100mA, 5V
    2V @ 250μA
    无卤素
    30pF @ 5V
    ±20V
    130mA
    -2V
    20V
    -
    50V
    2 V
    -
    1.016mm
    3.0226mm
    1.397mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    1ns
    1 ns
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