Diodes Incorporated 2N7002E-7-F

工厂交货时间

19 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

2N7002E-7-F

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

250mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

370mW Ta

Turn Off Delay Time

11 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

4Ohm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

低阈值

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

540mW

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3 Ω @ 250mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.22nC @ 4.5V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

250mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.24A

漏源击穿电压

60V

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

高度

1mm

长度

2.9mm

宽度

1.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅