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首页 全部分类 BSS670S2LH6433XTMA1 vs 2N7002K-7

BSS670S2LH6433XTMA1备选型号: 2N7002K-7

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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BSS670S2LH6433XTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R
    10 Weeks
    表面贴装
    SOT-23
    3
    4.5V 10V
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    150°C
    -55°C
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    25ns
    ±20V
    N-CHANNEL
    540mA
    20V
    0.54A
    0.825Ohm
    55V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    10 pF
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    2N7002K-7
    Diodes Incorporated
    DIODES INC. - 2N7002K-7 - MOSFET Transistor, N Channel, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 1.6 V
    14 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    380mA Ta
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    -
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    3.4ns
    ±20V
    -
    300mA
    20V
    -
    -
    -
    -
    5 pF
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    7.994566mg
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    1997
    e3
    yes
    2Ohm
    Matte Tin (Sn)
    3
    1
    Single
    350mW
    3.9 ns
    N-Channel
    2 Ω @ 500mA, 10V
    2.5V @ 1mA
    50pF @ 25V
    0.3nC @ 4.5V
    9.9 ns
    1.6V
    60V
    1.6 V
    1mm
    2.9mm
    1.3mm
    无SVHC
    无
    无铅
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