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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.558681
10
¥0.527058
100
¥0.497224
500
¥0.46908
1000
¥0.442528
Infineon Technologies BSS670S2LH6433XTMA1
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- 对比
BSS670S2LH6433XTMA1
1211-BSS670S2LH6433XTMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23
大陆
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Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSS670S2LH6433XTMA1详情
Infineon Technologies BSS670S2LH6433XTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
SOT-23
引脚数
3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
25ns
Vgs(最大值)
±20V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
540mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.54A
漏极-源极导通最大电阻
0.825Ohm
DS 击穿电压-最小值
55V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
10 pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSS670S2LH6433XTMA1拓展信息
Infineon Technologies
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