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首页 全部分类 BSZ025N04LSATMA1 vs FDMS8023S

BSZ025N04LSATMA1备选型号: FDMS8023S

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  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 栅源电压
  • 长度
  • 宽度
  • 高度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSZ025N04LSATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    22A Ta 40A Tc
    2V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2012
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    S-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.5m Ω @ 20A, 10V
    无卤素
    3680pF @ 20V
    52nC @ 10V
    ±20V
    40A
    40V
    22A
    0.0032Ohm
    160A
    130 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS8023S
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    1
    3V @ 1mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®, SyncFET™
    -
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    260
    30
    R-PDSO-F5
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.4m Ω @ 26A, 10V
    -
    3550pF @ 15V
    57nC @ 10V
    ±20V
    49A
    -
    26A
    0.0024Ohm
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    68.1mg
    e3
    Tin (Sn)
    Single
    59W
    12 ns
    5ns
    4 ns
    1.7V
    MO-240AA
    20V
    30V
    1.7 V
    5mm
    6mm
    1.05mm
    无
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