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首页 全部分类 BSZ042N06NSATMA1 vs FDD13AN06A0

BSZ042N06NSATMA1备选型号: FDD13AN06A0

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  • 无铅
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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
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  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
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  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 高度
  • 长度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSZ042N06NSATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    17A Ta 40A Tc
    2.8V @ 36μA
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    OptiMOS™
    2006
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    DUAL
    无铅
    S-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    4.2m Ω @ 20A, 10V
    无卤素
    2000pF @ 30V
    27nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    40A
    20V
    60V
    0.0042Ohm
    44 pF
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD13AN06A0
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    26 ns
    4V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2003
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    115W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    13.5m Ω @ 50A, 10V
    -
    1350pF @ 25V
    29nC @ 10V
    77ns
    ±20V
    50A
    20V
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    260.37mg
    SMD/SMT
    60V
    9.9A
    FDD13AN06
    Single
    9 ns
    25 ns
    4V
    TO-252AA
    60V
    60V
    56 mJ
    4 V
    6.22mm
    2.39mm
    6.73mm
    无
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