Infineon Technologies BSC076N06NS3GATMA1
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BSC076N06NS3GATMA1
1211-BSC076N06NS3GATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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Trans MOSFET N-CH 60V 50A 8-Pin TDSON T/R
--最小包装量--
BSC076N06NS3GATMA1详情
Infineon Technologies BSC076N06NS3GATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
供应商器件包装
PG-TDSON-8-5
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
50A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta 69W Tc
Turn Off Delay Time
20 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2009
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.6mOhm @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 35μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4000pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
50nC @ 10V
上升时间
40ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5 ns
连续放电电流(ID)
50A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
60V
输入电容
4nF
漏源电阻
6.2mOhm
最大rds
7.6 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
BSC076N06NS3GATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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