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首页 全部分类 BSZ084N08NS5ATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1

BSZ084N08NS5ATMA1备选型号: BSC076N06NS3GATMA1

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  • 无铅
  • 供应商器件包装
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  • 最小工作温度
  • 功率耗散
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    BSZ084N08NS5ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    40A Tc
    3.8V @ 31μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    S-PDSO-N3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.4m Ω @ 20A, 10V
    无卤素
    1820pF @ 40V
    25nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    5 ns
    40A
    20V
    80V
    80V
    76 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC076N06NS3GATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 50A 8-Pin TDSON T/R
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    50A Tc
    4V @ 35μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2009
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    15 ns
    N-Channel
    -
    7.6mOhm @ 50A, 10V
    无卤素
    4000pF @ 30V
    50nC @ 10V
    40ns
    ±20V
    5 ns
    50A
    20V
    60V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    PG-TDSON-8-5
    150°C
    -55°C
    2.5W
    60V
    4nF
    6.2mOhm
    7.6 mΩ
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