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首页 全部分类 BSZ0901NSATMA1 vs FDMS7692

BSZ0901NSATMA1备选型号: FDMS7692

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  • 终端形式
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
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  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    BSZ0901NSATMA1
    Infineon Technologies
    Trans Mosfet N-ch 30V 25A 8-PIN Tsdson Ep T/r
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    22A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    R-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 250μA
    无卤素
    2850pF @ 15V
    45nC @ 10V
    7.2ns
    ±20V
    4.6 ns
    25A
    20V
    30V
    22A
    0.0026Ohm
    160A
    150 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS7692
    ON Semiconductor
    FDMS7692 Series 30 V 14 A 7.5 mOhm N-Ch PowerTrench® MOSFET - POWER 56-8
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    14A Ta 28A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    -
    R-PDSO-N5
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.5m Ω @ 13A, 10V
    3V @ 250μA
    -
    1350pF @ 15V
    22nC @ 10V
    2.7ns
    ±20V
    2.3 ns
    28A
    20V
    -
    47A
    0.0075Ohm
    50A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    68.1mg
    不合格
    Single
    27W
    30V
    2 V
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无SVHC
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