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首页 全部分类 BSZ0901NSATMA1 vs IPD135N03LGATMA1

BSZ0901NSATMA1备选型号: IPD135N03LGATMA1

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • HTS代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 漏源电压 (Vdss)
  • JEDEC-95代码
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    BSZ0901NSATMA1
    Infineon Technologies
    Trans Mosfet N-ch 30V 25A 8-PIN Tsdson Ep T/r
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    22A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    R-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 250μA
    无卤素
    2850pF @ 15V
    45nC @ 10V
    7.2ns
    ±20V
    4.6 ns
    25A
    20V
    30V
    22A
    0.0026Ohm
    160A
    150 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD135N03LGATMA1
    Infineon Technologies
    INFINEON - IPD135N03L G - MOSFET, N CH, 30A, 30V, PG-TO252-3
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    30A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    4
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    13.5m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    -
    1000pF @ 15V
    10nC @ 10V
    -
    ±20V
    2.2 ns
    30A
    20V
    -
    -
    -
    210A
    20 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    8541.29.00.95
    不合格
    Single
    31W
    30V
    TO-252AA
    2.41mm
    6.73mm
    6.22mm
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