Infineon Technologies IPD135N03LGATMA1

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

31W Tc

Turn Off Delay Time

12 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.2V @ 250μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

HTS代码

8541.29.00.95

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

31W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

3 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

13.5m Ω @ 30A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1000pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

2.2 ns

连续放电电流(ID)

30A

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

210A

雪崩能量等级（Eas）

20 mJ

高度

2.41mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant