您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 BSZ0901NSIATMA1 vs BSZ0902NSATMA1

BSZ0901NSIATMA1备选型号: BSZ0902NSATMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 阈值电压
  • Infineon Technologies
    BSZ0901NSIATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TSDSON EP
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    25A Ta 40A Tc
    2.2V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    R-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.1m Ω @ 20A, 10V
    无卤素
    2600pF @ 15V
    41nC @ 10V
    7.2ns
    ±20V
    4.6 ns
    25A
    20V
    30V
    Schottky Diode (Body)
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSZ0902NSATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
    18 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    19A Ta 40A Tc
    2V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    2.1W
    -
    4.2 ns
    N-Channel
    -
    2.6m Ω @ 20A, 10V
    无卤素
    1700pF @ 15V
    26nC @ 10V
    5.2ns
    ±20V
    3.6 ns
    19A
    20V
    30V
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    Tin (Sn)
    2V
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BSZ0902NSATMA1 BSZ0902NSATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R 对比
FDMS7676 FDMS7676 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET 30/20V N-Chan PowerTrench 对比
IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 6-PowerVDFN INFINEON IRFHS8342TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 8.8 A, 30 V, 0.013 ohm, 10 V, 1.8 VNew 对比