Infineon Technologies BSZ0902NSATMA1
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BSZ0902NSATMA1
1211-BSZ0902NSATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
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Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
--最小包装量--
BSZ0902NSATMA1详情
Infineon Technologies BSZ0902NSATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
19A Ta 40A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.1W Ta 48W Tc
Turn Off Delay Time
21 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
功率耗散
2.1W
接通延迟时间
4.2 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.6m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1700pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
26nC @ 10V
上升时间
5.2ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
3.6 ns
连续放电电流(ID)
19A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
30V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
BSZ0902NSATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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