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首页 全部分类 BSZ15DC02KDHXTMA1 vs DMN2050LFDB-7

BSZ15DC02KDHXTMA1备选型号: DMN2050LFDB-7

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 参考标准
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSZ15DC02KDHXTMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    5.1A 3.2A
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    阿瓦兰赫评级
    2.5W
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    S-PDSO-N5
    COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    2.5W
    N and P-Channel Complementary
    55m Ω @ 5.1A, 4.5V
    1.4V @ 110μA
    无卤素
    419pF @ 10V
    2.8nC @ 4.5V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    3.2A
    12V
    20V
    5.1A
    0.055Ohm
    20A
    11 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2050LFDB-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    -
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2013
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    730mW
    -
    -
    260
    30
    S-PDSO-N6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    2 N-Channel (Dual)
    45m Ω @ 5A, 4.5V
    1V @ 250μA
    -
    389pF @ 10V
    12nC @ 10V
    -
    3.3A
    12V
    -
    4.5A
    0.045Ohm
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    e4
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    AEC-Q101
    5 ns
    SWITCHING
    8ns
    20V
    8 ns
    20V
    无
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