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首页 全部分类 BSZ15DC02KDHXTMA1 vs FDMA1032CZ

BSZ15DC02KDHXTMA1备选型号: FDMA1032CZ

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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 晶体管应用
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  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSZ15DC02KDHXTMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    5.1A 3.2A
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    阿瓦兰赫评级
    2.5W
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    S-PDSO-N5
    COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    2.5W
    N and P-Channel Complementary
    55m Ω @ 5.1A, 4.5V
    1.4V @ 110μA
    无卤素
    419pF @ 10V
    2.8nC @ 4.5V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    3.2A
    12V
    20V
    5.1A
    0.055Ohm
    20A
    11 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMA1032CZ
    ON Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-VDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    3.7A 3.1A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    ESD PROTECTION
    1.4W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    700mW
    N and P-Channel
    68m Ω @ 3.7A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    -
    340pF @ 10V
    6nC @ 4.5V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    3.7A
    12V
    -
    -
    -
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    Gold
    40mg
    e4
    SMD/SMT
    68mOhm
    20V
    3.7A
    2
    Dual
    1.4W
    SWITCHING
    11ns
    11 ns
    1V
    20V
    20V
    150°C
    1 V
    850μm
    2mm
    2mm
    无SVHC
    无
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