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首页 全部分类 BSZ15DC02KDHXTMA1 vs IRLML6246TRPBF

BSZ15DC02KDHXTMA1备选型号: IRLML6246TRPBF

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  • 场效应管特性
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  • 宽度
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  • Infineon Technologies
    BSZ15DC02KDHXTMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    5.1A 3.2A
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    阿瓦兰赫评级
    2.5W
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    S-PDSO-N5
    COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    2.5W
    N and P-Channel Complementary
    55m Ω @ 5.1A, 4.5V
    1.4V @ 110μA
    无卤素
    419pF @ 10V
    2.8nC @ 4.5V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    3.2A
    12V
    20V
    5.1A
    0.055Ohm
    20A
    11 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML6246TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT-23
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    4.1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    46m Ω @ 4.1A, 4.5V
    1.1V @ 5μA
    -
    290pF @ 16V
    3.5nC @ 4.5V
    -
    4.1A
    12V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    46MOhm
    Matte Tin (Sn)
    Single
    1.3W
    3.6 ns
    SWITCHING
    4.9ns
    ±12V
    6 ns
    12V
    20V
    13 ns
    1.016mm
    3.0226mm
    1.397mm
    无SVHC
    无
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