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首页 全部分类 BSZ42DN25NS3GATMA1 vs IPD5N25S3430ATMA1

BSZ42DN25NS3GATMA1备选型号: IPD5N25S3430ATMA1

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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 资历状况
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  • 箱体转运
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
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  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    BSZ42DN25NS3GATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TDSON EP
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    Tin
    8
    SILICON
    1
    4V @ 13μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    无铅
    S-PDSO-N5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    425m Ω @ 2.5A, 10V
    无卤素
    430pF @ 100V
    5.5nC @ 10V
    2ns
    ±20V
    5A
    20V
    250V
    5A
    0.425Ohm
    20A
    40 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD5N25S3430ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 250V 5A 3-Pin TO-252 T/R
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    3
    -
    5A Tc
    4V @ 13μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2012
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3 ns
    N-Channel
    -
    430mOhm @ 5A, 10V
    无卤素
    422pF @ 25V
    6.2nC @ 10V
    2ns
    ±20V
    5A
    20V
    250V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    PG-TO252-3-313
    175°C
    -55°C
    250V
    5 ns
    422pF
    370mOhm
    430 mΩ
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