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价格梯度

内地含税价

1

￥3.404586
10

￥3.211873
100

￥3.030069
500

￥2.858556
1000

￥2.696751

Infineon Technologies IPD5N25S3430ATMA1

Name: IPD5N25S3430ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-IPD5N25S3430ATMA1
Price: 3.4 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IPD5N25S3430ATMA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IPD5N25S3430ATMA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 250V 5A 3-Pin TO-252 T/R

起订量

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IPD5N25S3430ATMA1 Infineon Technologies Trans MOSFET N-CH 250V 5A 3-Pin TO-252 T/R

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IPD5N25S3430ATMA1详情

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型号对比

Infineon Technologies IPD5N25S3430ATMA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

12 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数

3
供应商器件包装

PG-TO252-3-313
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Power Dissipation (Max)

41W Tc
Turn Off Delay Time

8 ns
操作温度

-55°C~175°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
系列

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版

2012
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最高工作温度

175°C
最小工作温度

-55°C
接通延迟时间

3 ns
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

430mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 13μA
无卤素

无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

422pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.2nC @ 10V
上升时间

2ns
漏源电压 (Vdss)

250V
Vgs（最大值）

±20V
下降时间（典型值）

5 ns
连续放电电流(ID)

5A
栅极至源极电压(Vgs)

20V
最大双电源电压

250V
输入电容

422pF
漏源电阻

370mOhm
最大rds

430 mΩ
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

含铅

0个相似型号

IPD5N25S3430ATMA1拓展信息

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