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首页 全部分类 BTS110NKSA1 vs IRF520NPBF

BTS110NKSA1备选型号: IRF520NPBF

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  • 功率耗散
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 已出版
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 螺纹距离
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BTS110NKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    10A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    TEMPFET®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    40W
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR
    增强型MOSFET
    40W
    DRAIN
    20 ns
    N-Channel
    200m Ω @ 5A, 10V
    3.5V @ 1mA
    600pF @ 25V
    45ns
    100V
    55 ns
    10A
    TO-220AB
    20V
    0.2Ohm
    40A
    无
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF520NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    9.7A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    48W
    DRAIN
    4.5 ns
    N-Channel
    200m Ω @ 5.7A, 10V
    4V @ 250μA
    330pF @ 25V
    23ns
    -
    23 ns
    9.7A
    TO-220AB
    20V
    0.2Ohm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    Tin
    1998
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    100V
    9.7A
    2.54mm
    Single
    SWITCHING
    25nC @ 10V
    ±20V
    4V
    9.5A
    100V
    100V
    150 ns
    4 V
    15.24mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无铅
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