Infineon Technologies BTS110NKSA1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

70 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

TEMPFET®

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

40W

端子位置

SINGLE

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

40W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

200m Ω @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

600pF @ 25V

上升时间

45ns

漏源电压 (Vdss)

100V

下降时间（典型值）

55 ns

连续放电电流(ID)

10A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.2Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant