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首页 全部分类 BTS121ANKSA1 vs BUK7575-100A,127

BTS121ANKSA1备选型号: BUK7575-100A,127

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    BTS121ANKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 22A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    22A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    TEMPFET®
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    逻辑电平兼容
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR
    增强型MOSFET
    95W
    DRAIN
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 9.5A, 4.5V
    2.5V @ 1mA
    1500pF @ 25V
    110ns
    100V
    ±10V
    100 ns
    22A
    TO-220AB
    10V
    88A
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Nexperia USA Inc.
    BUK7575-100A,127
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    23A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMOS™
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    99W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    75m Ω @ 13A, 10V
    4V @ 1mA
    1210pF @ 25V
    39ns
    -
    ±20V
    24 ns
    200mA
    TO-220AB
    20V
    92A
    无
    符合RoHS标准
    Tin
    4.535924g
    e3
    EAR99
    3
    Single
    100V
    0.075Ohm
    100V
    6.35mm
    6.35mm
    6.35mm
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