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首页 全部分类 BTS121ANKSA1 vs IRF9540NPBF

BTS121ANKSA1备选型号: IRF9540NPBF

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • JESD-609代码
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 螺纹距离
  • 元素配置
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BTS121ANKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 22A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    22A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    TEMPFET®
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    逻辑电平兼容
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR
    增强型MOSFET
    95W
    DRAIN
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 9.5A, 4.5V
    2.5V @ 1mA
    1500pF @ 25V
    110ns
    100V
    ±10V
    100 ns
    22A
    TO-220AB
    10V
    88A
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9540NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 100V 23A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    23A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1998
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    -
    -
    增强型MOSFET
    140W
    DRAIN
    15 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    117m Ω @ 11A, 10V
    4V @ 250μA
    1300pF @ 25V
    67ns
    100V
    ±20V
    51 ns
    -23A
    TO-220AB
    20V
    76A
    无
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    Tin
    e3
    通孔
    EAR99
    117mOhm
    -100V
    250
    -23A
    30
    2.54mm
    Single
    97nC @ 10V
    -4V
    -100V
    -100V
    220 ns
    -4 V
    15.24mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无铅
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