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BTS282ZE3180AATMA2备选型号: AUIRF1405ZS-7P
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 输出电压
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
MOSFET N-Ch 49V 36A D2PAK-618 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CAPG-TO263-7-11.59999g80A Tc-40°C~175°C TJTape & Reel (TR)TEMPFET®2014活跃1 (Unlimited)175°C-40°C49V1Single30 nsN-Channel6.5mOhm @ 36A, 10V2V @ 240μA无卤素4800pF @ 25V232nC @ 10V37ns49V±20V36 ns80A20V49V49V4.8nF温度传感二极管6.5mOhm6.5 mΩROHS3 Compliant含铅
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK-713 Weeks-表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB--120A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010不用于新设计1 (Unlimited)------N-Channel4.9m Ω @ 88A, 10V4V @ 150μA-5360pF @ 25V230nC @ 10V-55V±20V-120A-------ROHS3 Compliant-- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRF1405ZS-7P | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK-7 | 对比 |
 | IRF2804STRL7PP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7 | 对比 |
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