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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥70.361435
10
¥66.378712
100
¥62.621427
500
¥59.076818
1000
¥55.732847
Infineon Technologies BTS282ZE3180AATMA2
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- 对比
BTS282ZE3180AATMA2
1211-BTS282ZE3180AATMA2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
大陆
立即发货

MOSFET N-Ch 49V 36A D2PAK-6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BTS282ZE3180AATMA2详情
Infineon Technologies BTS282ZE3180AATMA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
供应商器件包装
PG-TO263-7-1
质量
1.59999g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
300W Tc
Turn Off Delay Time
70 ns
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TEMPFET®
已出版
2014
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-40°C
输出电压
49V
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
30 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.5mOhm @ 36A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 240μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4800pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
232nC @ 10V
上升时间
37ns
漏源电压 (Vdss)
49V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
36 ns
连续放电电流(ID)
80A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
49V
漏源击穿电压
49V
输入电容
4.8nF
场效应管特性
温度传感二极管
漏源电阻
6.5mOhm
最大rds
6.5 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
BTS282ZE3180AATMA2拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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