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BU323Z备选型号: NJW21194G

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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
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  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 频率转换
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 频率
  • 功率 - 最大
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    BU323Z
    ON Semiconductor
    TRANS NPN DARL 350V 10A TO-218
    OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
    NO
    TO-218-3
    通孔
    3
    SILICON
    350V
    1.6V
    2002
    Tube
    -65°C~175°C TJ
    e0
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    35V
    150W
    240
    not_compliant
    10A
    30
    3
    不合格
    NPN
    Single
    150W
    COLLECTOR
    SWITCHING
    NPN - Darlington
    350V
    10A
    500 @ 5A 4.6V
    100μA
    1.7V @ 250mA, 10A
    2MHz
    2MHz
    6V
    10A
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NJW21194G
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT 200W NPN
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    NO
    TO-3P-3, SC-65-3
    通孔
    3
    SILICON
    350V
    4V
    2005
    Tube
    -65°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    200mW
    -
    -
    -
    -
    3
    -
    -
    Single
    200mW
    -
    AMPLIFIER
    NPN
    250V
    16A
    20 @ 8A 5V
    100μA
    4V @ 3.2A, 16A
    4MHz
    -
    5V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    29 Weeks
    4.535924g
    4MHz
    200W
    4MHz
    NPN
    250V
    400V
    20.1mm
    15.8mm
    5mm
    无SVHC
    无
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