ON Semiconductor BU323Z

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)

表面安装

NO

包装/外壳

TO-218-3

安装类型

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.6V

hFEMin

150

Number of Elements

1

已出版

2002

包装

Tube

操作温度

-65°C~175°C TJ

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

35V

最大功率耗散

150W

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

10A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

150W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

350V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

500 @ 5A 4.6V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.7V @ 250mA, 10A

转换频率

2MHz

频率转换

2MHz

发射极基极电压 (VEBO)

6V

连续集电极电流

10A

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅