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首页 全部分类 BUK7514-60E,127 vs NTP5864NG

BUK7514-60E,127备选型号: NTP5864NG

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  • Reach合规守则
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    BUK7514-60E,127
    NXP USA Inc.
    Trans MOSFET N-CH 60V 58A 3-Pin TO-220AB Rail
    通孔
    TO-220-3
    NO
    96W Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMOS™
    2012
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    not_compliant
    3
    Single
    增强型MOSFET
    N-Channel
    13m Ω @ 15A, 10V
    4V @ 1mA
    1730pF @ 25V
    22.9nC @ 10V
    60V
    ±20V
    58A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTP5864NG
    ON Semiconductor
    NTP5864NG N-channel MOSFET Transistor; 63 A; 60 V; 3-Pin TO-220
    通孔
    TO-220-3
    NO
    63A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    -
    3
    -
    增强型MOSFET
    N-Channel
    12.4m Ω @ 20A, 10V
    4V @ 250μA
    1680pF @ 25V
    31nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    20 Weeks
    3
    SILICON
    yes
    3
    EAR99
    Single
    107W
    DRAIN
    10 ns
    6.4ns
    4.6 ns
    63A
    TO-220AB
    20V
    60V
    252A
    80 mJ
    4.82mm
    10.28mm
    15.75mm
    无
    无铅
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