ON Semiconductor NTP5864NG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

20 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

63A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

107W Tc

Turn Off Delay Time

18 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

107W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

12.4m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1680pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31nC @ 10V

上升时间

6.4ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4.6 ns

连续放电电流(ID)

63A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

252A

雪崩能量等级（Eas）

80 mJ

高度

4.82mm

长度

10.28mm

宽度

15.75mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅