BUK7880-55,135备选型号: BSP318SL6327HTSA1
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- 品牌:
- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 关断时间-最大值(toff)
- 接通时间-最大值(ton)
- RoHS状态
- 底架
- 引脚数
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 辐射硬化
- Trans MOSFET N-CH 55V 3.5A Automotive 4-Pin(3 Tab) SC-73 T/R表面贴装TO-261-4, TO-261AAYESSILICON3.5A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™1998e3Obsolete1 (Unlimited)4EAR99Tin (Sn)逻辑电平兼容8541.29.00.75DUAL鸥翼260404R-PDSO-G4不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING80m Ω @ 5A, 10V4V @ 1mA500pF @ 25V55V±16V7.5A0.08Ohm40A55V30 mJ85 pF45ns39nsROHS3 Compliant----------
- Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R表面贴装TO-261-4, TO-261AA-SILICON2.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SIPMOS®1999-Obsolete1 (Unlimited)4--AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE-DUAL鸥翼-----SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-Channel-90m Ω @ 2.6A, 10V2V @ 20μA380pF @ 25V60V±20V---60V60 mJ---符合RoHS标准表面贴装41.8W12 ns20nC @ 10V15ns15 ns2.6A20V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK98150-55,135 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | 对比 | |
![]() | BSP171PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
![]() | HUFA75309T3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223 | 对比 |




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