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首页 全部分类 BUK7K13-60EX vs BSC097N06NSATMA1

BUK7K13-60EX备选型号: BSC097N06NSATMA1

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 系列
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • 无卤素
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    BUK7K13-60EX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1205, 8-LFPAK56
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    64W
    鸥翼
    未说明
    未说明
    8
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PDSO-G6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    64W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    10m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 1mA
    2163pF @ 25V
    30.1nC @ 10V
    60V
    40A
    0.01Ohm
    213A
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC097N06NSATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    46A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    -
    FLAT
    未说明
    未说明
    -
    -
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    9.7m Ω @ 40A, 10V
    3.3V @ 14μA
    1075pF @ 30V
    15nC @ 10V
    -
    46A
    0.0097Ohm
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    OptiMOS™
    e3
    EAR99
    DUAL
    not_compliant
    无卤素
    2ns
    ±20V
    2.8V
    20V
    60V
    12A
    13 mJ
    无SVHC
    含铅
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