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首页 全部分类 BUK7K29-100EX vs FDB86102LZ

BUK7K29-100EX备选型号: FDB86102LZ

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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    BUK7K29-100EX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56
    12 Weeks
    SOT-1205, 8-LFPAK56
    表面贴装
    表面贴装
    8
    LFPAK56D
    29.5A
    2013
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    68W
    68W
    2 N-Channel (Dual)
    24.5mOhm @ 10A, 10V
    4V @ 1mA
    2436pF @ 25V
    38.1nC @ 10V
    100V
    29.5A
    2.436nF
    Standard
    24.5 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
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  • ON Semiconductor
    FDB86102LZ
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDB86102LZ - MOSFET, N CH, 100V, 30A, TO-263
    8 Weeks
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    表面贴装
    表面贴装
    3
    -
    8.3A Ta 30A Tc
    2011
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    24m Ω @ 8.3A, 10V
    3V @ 250μA
    1275pF @ 50V
    21nC @ 10V
    -
    30A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    1.31247g
    SILICON
    PowerTrench®
    e3
    yes
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    6.6 ns
    SWITCHING
    2.1ns
    ±20V
    2.3 ns
    1.5V
    20V
    0.024Ohm
    100V
    50A
    1.5 V
    4.83mm
    10.67mm
    11.33mm
    无SVHC
    无
    无铅
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