BUK7K29-100EX备选型号: IRF540ZSPBF
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 场效应管特性
- 最大rds
- RoHS状态
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK5612 WeeksSOT-1205, 8-LFPAK56表面贴装表面贴装8LFPAK56D29.5A2013Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)175°C-55°C68W68W2 N-Channel (Dual)24.5mOhm @ 10A, 10V4V @ 1mA2436pF @ 25V38.1nC @ 10V100V29.5A2.436nFStandard24.5 mΩROHS3 Compliant-----------------------------------
- IRF540ZSPBF N-channel MOSFET Transistor; 36 A; 100 V; 3-Pin D2PAK9 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3-36A Tc2003Tube-55°C~175°C TJDiscontinued1 (Unlimited)----N-Channel26.5m Ω @ 22A, 10V4V @ 250μA1770pF @ 25V63nC @ 10V-36A---ROHS3 CompliantTinSILICONHEXFET®e32EAR9926.5mOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE100V鸥翼26036A30R-PSSO-G2Single增强型MOSFET92WDRAIN15 nsSWITCHING51ns±20V39 ns4V20V100V100V50 ns4 V4.826mm10.668mm9.65mm无SVHC无Contains Lead, Lead Free
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDD86102 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 8A DPAK | 对比 |
![]() | FDB86102LZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | ON SEMICONDUCTOR - FDB86102LZ - MOSFET, N CH, 100V, 30A, TO-263 | 对比 |
![]() | IPB35N10S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 100V 35A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |






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