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BUK7K29-100EX备选型号: IPB35N10S3L26ATMA1
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- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 场效应管特性
- 最大rds
- RoHS状态
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- Vgs（最大值）
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK5612 WeeksSOT-1205, 8-LFPAK56表面贴装表面贴装8LFPAK56D29.5A2013Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)175°C-55°C68W68W2 N-Channel (Dual)24.5mOhm @ 10A, 10V4V @ 1mA2436pF @ 25V38.1nC @ 10V100V29.5A2.436nFStandard24.5 mΩROHS3 Compliant---------------------
Trans MOSFET N-CH 100V 35A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-26314 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装---35A Tc2011Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)----N-Channel26.3m Ω @ 35A, 10V2.4V @ 39μA2700pF @ 25V39nC @ 10V100V----ROHS3 CompliantYESSILICONAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™e32EAR99Tin (Sn)SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET±20V35A0.0322Ohm140A100V175 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF540ZSPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IRF540ZSPBF N-channel MOSFET Transistor; 36 A; 100 V; 3-Pin D2PAK | 对比 |
 | FDD86102 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 8A DPAK | 对比 |
| IPB35N10S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 100V 35A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
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