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首页 全部分类 BUK7K35-60EX vs STD30N6LF6AG

BUK7K35-60EX备选型号: STD30N6LF6AG

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  • 终端形式
  • 引脚数量
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  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 配置
  • Vgs（最大值）
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Nexperia USA Inc.
    BUK7K35-60EX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 60V 20.7A 56LFPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1205, 8-LFPAK56
    SILICON
    20.7A
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    雪崩 额定
    38W
    SINGLE
    鸥翼
    8
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PSSO-G4
    2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    30m Ω @ 5A, 10V
    4V @ 1mA
    794pF @ 25V
    12.5nC @ 10V
    60V
    22A
    0.03Ohm
    95A
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD30N6LF6AG
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 24A
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    40W Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    SINGLE
    鸥翼
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    25m Ω @ 12A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1320pF @ 25V
    26nC @ 10V
    60V
    24A
    0.03Ohm
    96A
    60V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
    EAR99
    未说明
    未说明
    STD30N
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    ±20V
    130 mJ
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