Infineon Technologies IPD25N06S4L30ATMA2
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IPD25N06S4L30ATMA2
1211-IPD25N06S4L30ATMA2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3
--最小包装量--
IPD25N06S4L30ATMA2详情
Infineon Technologies IPD25N06S4L30ATMA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
25A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
29W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.2V @ 8μA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
30m Ω @ 25A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1220pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
16.3nC @ 10V
Vgs(最大值)
±16V
连续放电电流(ID)
25A
最大双电源电压
60V
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPD25N06S4L30ATMA2拓展信息
Infineon Technologies
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