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BUK7K52-60EX备选型号: STL7DN6LF3
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- 安装类型
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 引脚数
- 系列
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 基本部件号
- 功率耗散
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET 2N-CH 60V 15.4A LFPAK12 Weeks表面贴装表面贴装SOT-1205, 8-LFPAK56SILICON2-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2013活跃1 (Unlimited)632W鸥翼未说明未说明8AEC-Q101; IEC-60134R-PDSO-G62Dual增强型MOSFETDRAIN4.3 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING45m Ω @ 5A, 10V4V @ 1mA535pF @ 25V9.2nC @ 10V5.1ns60V5.4 ns15.4A20V0.045Ohm71A60V11.6 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant------------
MOSFET Dual N-Ch 60V 35mOhm 6.5A STripFET III12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFNSILICON2-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-活跃1 (Unlimited)652WFLAT260---R-PDSO-F6-Dual增强型MOSFETDRAIN-2 N-Channel (Dual)SWITCHING43m Ω @ 3A, 10V3V @ 250μA432pF @ 25V8.8nC @ 10V-60V-20A20V0.06Ohm26A-190 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 7 months ago)8Automotive, AEC-Q101, STripFET™ IIIe3EAR99Matte Tin (Sn)雪崩 额定STL7D52W60V无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN6040SK3-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N CH 60V 20A TO252 | 对比 |
| STL7DN6LF3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-PowerVDFN | MOSFET Dual N-Ch 60V 35mOhm 6.5A STripFET III | 对比 |
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