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首页 全部分类 BUK9510-100B,127 vs FDP3632

BUK9510-100B,127备选型号: FDP3632

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 触点镀层
  • 表面安装
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 已出版
  • 系列
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 质量
  • 无铅代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 阈值电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    BUK9510-100B,127
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
    Tin
    NO
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    75A Tc
    2V @ 1mA
    2017
    TrenchMOS™
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    60 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.7m Ω @ 25A, 10V
    11045pF @ 25V
    86nC @ 5V
    110ns
    ±15V
    94 ns
    75A
    TO-220AB
    15V
    100V
    100V
    629 mJ
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP3632
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Tube
    Tin
    -
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    1
    4V @ 250μA
    2004
    PowerTrench®
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    e3
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Single
    增强型MOSFET
    310W
    DRAIN
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 80A, 10V
    6000pF @ 25V
    110nC @ 10V
    39ns
    ±20V
    46 ns
    80A
    TO-220AB
    20V
    -
    100V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    4 Weeks
    通孔
    1.8g
    yes
    9MOhm
    100V
    44A
    4V
    4.83mm
    10.67mm
    9.4mm
    无SVHC
    无铅
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