Nexperia USA Inc. BUK9510-100B,127

触点镀层

Tin

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

250 ns

Number of Elements

1

已出版

2017

系列

TrenchMOS™

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

60 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.7m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

11045pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

86nC @ 5V

上升时间

110ns

Vgs（最大值）

±15V

下降时间（典型值）

94 ns

连续放电电流(ID)

75A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

15V

最大双电源电压

100V

漏源击穿电压

100V

雪崩能量等级（Eas）

629 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准