BUK9E15-60E,127备选型号: BSH111,235

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 辐射硬化
  • NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    NO
    SILICON
    54A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMOS™
    2012
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    SINGLE
    not_compliant
    3
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PSIP-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    13m Ω @ 15A, 10V
    2.1V @ 1mA
    2651pF @ 25V
    20.5nC @ 5V
    60V
    ±10V
    54A
    0.015Ohm
    216A
    60V
    40.5 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    SILICON
    335mA Ta
    -65°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    1997
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    快速切换
    DUAL
    -
    3
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    4 Ω @ 500mA, 4.5V
    1.3V @ 1mA
    40pF @ 10V
    1nC @ 8V
    -
    ±10V
    -
    4Ohm
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    Tin
    3
    EAR99
    8541.29.00.75
    鸥翼
    260
    30
    Single
    830mW
    335mA
    10V
    55V
    55V
    10 pF
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