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首页 全部分类 BUK9E15-60E,127 vs PMPB40SNA,115

BUK9E15-60E,127备选型号: PMPB40SNA,115

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • NXP USA Inc.
    BUK9E15-60E,127
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    NO
    SILICON
    54A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMOS™
    2012
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    SINGLE
    not_compliant
    3
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PSIP-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    13m Ω @ 15A, 10V
    2.1V @ 1mA
    2651pF @ 25V
    20.5nC @ 5V
    60V
    ±10V
    54A
    0.015Ohm
    216A
    60V
    40.5 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Nexperia USA Inc.
    PMPB40SNA,115
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    -
    -
    12.9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2004
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    6
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    43m Ω @ 4.8A, 10V
    3V @ 250μA
    612pF @ 30V
    24nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    Tin
    6
    1.7W
    9 ns
    23ns
    12.9A
    20V
    60V
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