BUK9K12-60EX备选型号: DMN6013LFGQ-7

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 系列
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • Vgs(最大值)
  • Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 60V 35A 56LFPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1205, 8-LFPAK56
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    68W
    鸥翼
    8
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PDSO-G6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    68W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    10.7m Ω @ 15A, 10V
    2.1V @ 1mA
    3470pF @ 25V
    24.5nC @ 5V
    60V
    35A
    0.0115Ohm
    204A
    60V
    118 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    -
    10.3A Ta 45A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    13m Ω @ 10A, 10V
    3V @ 250μA
    2577pF @ 30V
    55.4nC @ 10V
    60V
    45A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    8
    Automotive, AEC-Q101
    e3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    ±20V
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